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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> DTC123JUAT106
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DTC123JUAT106

更新时间： 2024-09-27 12:45:03
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体小信号双极晶体管数字晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
11页 558K
描述
NPN 100mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)

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DTC123JUAT106 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：SC-70
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：7.08
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：471747Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：TransistorSamacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：UMT3Samacsys Released Date：2017-04-04 09:03:33
Is Samacsys：N其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：80
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e1
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
VCEsat-Max：0.3 VBase Number Matches：1

DTC123JUAT106 数据手册

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DTC123J series  
Datasheet  
NPN 100mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)  
lOutline  
VMT3  
EMT3F  
UMT3F  
SMT3  
Parameter  
VCC  
Value  
50V  
OUT  
OUT  
IN  
GND  
IN  
IC(MAX.)  
R1  
100mA  
2.2kW  
47kW  
GND  
DTC123JM  
(SC-105AA)  
DTC123JEB  
(SC-89)  
R2  
EMT3  
OUT  
OUT  
lFeatures  
1) Built-In Biasing Resistors  
IN  
IN  
GND  
GND  
2) Built-in bias resistors enable the configuration of  
an inverter circuit without connecting external  
input resistors (see inner circuit).  
DTC123JUB  
(SC-85)  
DTC123JE  
SOT-416 (SC-75A)  
UMT3  
3) The bias resistors consist of thin-film resistors  
with complete isolation to allow negative biasing  
of the input. They also have the advantage of  
completely eliminating parasitic effects.  
OUT  
OUT  
IN  
IN  
GND  
GND  
4) Only the on/off conditions need to be set for  
operation, making the circuit design easy.  
5) Complementary PNP Typesꢀ:DTA123J series  
6) Complex transistors :EMH10 /UMH10N  
DTC123JKA  
SOT-346 (SC-59)  
DTC123JUA  
SOT-323 (SC-70)  
lInner circuit  
/EMG11 /UMG11N （NPN type）  
7) Lead Free/RoHS Compliant.  
lApplication  
Switching circuit, Inverter circuit, Interface circuit,  
Driver circuit  
lPackaging specifications  
Package  
size  
(mm)  
Basic  
ordering  
unit (pcs)  
Taping  
code  
Reel size Tape width  
Part No.  
Package  
Marking  
(mm)  
(mm)  
DTC123JM  
VMT3  
EMT3F  
EMT3  
1212  
1616  
1616  
2021  
2021  
2928  
T2L  
TL  
180  
180  
180  
180  
180  
180  
8
8
8
8
8
8
8,000  
3,000  
3,000  
3,000  
3,000  
3,000  
E42  
E42  
E42  
142  
142  
E42  
DTC123JEB  
DTC123JE  
TL  
DTC123JUB  
DTC123JUA  
DTC123JKA  
UMT3F  
UMT3  
SMT3  
TL  
T106  
T146  
www.rohm.com  
© 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2012.04 - Rev.A  
1/10  
1234567...11

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DTC123JUAT106 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
DTC123JUBTL ROHM

完全替代

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
DTC123JMT2L ROHM

类似代替

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS CO

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DTC123JUAT107 ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
DTC123JUA-TP MCC

获取价格

 		Digital Transistors
DTC123JUA-TP-HF MCC

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 		暂无描述
DTC123JUB ROHM

获取价格

 		100mA / 50V Digital transistors
DTC123JUBTL ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS CO
DTC123JV ETC

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 		TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SIP
DTC123JVA ETC

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 		TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SIP
DTC123JVATV2 ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ATV, 3
DTC123JVATV3 ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ATV, 3
DTC123JVATV4 ROHM

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