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DTC123ESATP

更新时间: 2024-11-24 13:07:27
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罗姆 - ROHM 晶体数字晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 707K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SPT, SC-72, 3 PIN

DTC123ESATP 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SC-72包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.57其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):20
JESD-30 代码:R-PSIP-T3JESD-609代码:e1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.3 W认证状态:Not Qualified
子类别:BIP General Purpose Small Signal表面贴装:NO
端子面层:TIN SILVER COPPER端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):250 MHzVCEsat-Max:0.3 V
Base Number Matches:1

DTC123ESATP 数据手册

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Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn;
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