Datasheet > DTC123J

DTC123J

更新时间： 2024-01-25 16:22:51

品牌	Logo	应用领域
友顺 - UTC		晶体数字晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	113K
描述
NPN DIGITAL TRANSISTOR (BUILT-IN RESISTORS)

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

DTC123J 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.57
Is Samacsys：	N	其他特性：	DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.5
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	33
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

DTC123J 数据手册

UTCDTC123J

NPNDIGITAL TRANSISTOR

NPN DIGITAL TRANSISTOR

(BUILT-IN RESISTORS)

FEATURES

* Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter

circuit without connecting external input resistors (see

equivalent circuit).

* The bias resistors consist of thin-film resistors with

complete isolation to allow negative biasing of the input.

They also have the advantage of almost completely

eliminating parasitic effects.

* Only the on/off conditions need to be set for operation,

making device design easy.

EQUIVALENT CIRCUIT

MARKING

SOT-23

OUT

CC3J

1: GND

2: IN

3: OUT

GND

OUT

GND

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25℃)

PARAMETER

SYMBOL

RATINGS

-5 ~ +12

100

UNIT

Supply voltage

Input voltage

Output current

VCC

VIN

IC (Max.)

100

200

150

Power Dissipation

℃

Junction temperature

Storage temperature

Tstg

℃

-55 ~ +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25℃)

PARAMETER

Input voltage

SYMBOL

VI (off)

VI (on)

VO (on)

TEST CONDITIONS

VCC=5V, IO=100μA

MIN TYP MAX UNIT

0.5

VO=0.3V, IO=5mA

IO/II=5mA/0.25mA

VI=5V

VCC=50V, VI=0V

VO=5V, IO=10mA

1.1

Output voltage

Input current

Output current

DC current gain

Input resistance

Resistance ratio

0.1

0.3

3.6

0.5

μA

IO (off)

R2/R1

1.54

2.2

250

2.86

KΩ

Transition frequency

* Transition frequency of the device

VCE=10V, IE=−5mA, f=100MHz

MHz

UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD

QW-R206-076,A

下载PDF

与DTC123J相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
DTC123J(SOT-523)	UTC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon	获取价格
DTC123J_12	UTC	NPN DIGITAL TRANSISTOR	获取价格
DTC123J_15	UTC	NPN DIGITAL TRANSISTOR	获取价格
DTC123J_17	ROHM	NPN 100mA 50V Digital Transistor	获取价格
DTC123JA	ETC	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SIP	获取价格
DTC123JAA	ETC	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SIP	获取价格