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DTC114T

更新时间： 2024-01-16 15:25:42
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 155K
描述
NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR

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DTC114T 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.57
Is Samacsys：N其他特性：DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
最大集电极电流 (IC)：0.07 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：68
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

DTC114T 数据手册

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Preferred Devices  
NPN Silicon Surface Mount Transistor  
with Monolithic Bias Resistor Network  
This new series of digital transistors is designed to replace a single  
device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor  
Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network  
consisting of two resistors; a series base resistor and a base–emitter  
resistor. The BRT eliminates these individual components by  
integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce  
both system cost and board space. The device is housed in the TO–92  
package which is designed for through hole applications.  
http://onsemi.com  
NPN SILICON  
BIAS RESISTOR  
TRANSISTOR  
COLLECTOR  
3
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Rating  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Collector Current  
Symbol  
Value  
50  
Unit  
Vdc  
2
V
CBO  
BASE  
V
CEO  
50  
Vdc  
1
I
C
100  
mAdc  
EMITTER  
Total Power Dissipation  
P
D
(1.)  
@ T = 25°C  
350  
mW  
A
Derate above 25°C  
2.81  
mW/°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to  
Ambient (surface mounted)  
R
357  
°C/W  
θ
JA  
1
Operating and Storage  
Temperature Range  
T , T  
–55 to  
+150  
°C  
J
stg  
2
3
Maximum Temperature for  
Soldering Purposes,  
Time in Solder Bath  
T
L
260  
10  
°C  
Sec  
CASE 29  
TO–92 (TO–226)  
STYLE 1  
DEVICE MARKING AND RESISTOR VALUES  
Device  
Marking  
R1 (K)  
R2 (K)  
Shipping  
5000/Box  
DTC114E  
DTC124E  
DTC144E  
DTC114Y  
DTC114T  
DTC143T  
DTD113E  
DTC123E  
DTC143E  
DTC143Z  
DTC114E  
DTC124E  
DTC144E  
DTC114Y  
DTC114T  
DTC143T  
DTD113E  
DTC123E  
DTC143E  
DTC143Z  
10  
22  
47  
10  
10  
4.7  
1.0  
2.2  
4.7  
4.7  
10  
22  
47  
47  
∞
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
∞
1.0  
2.2  
4.7  
47  
1. Device mounted on a FR–4 glass epoxy printed circuit board using the  
minimum recommended footprint.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2000  
1
Publication Order Number:  
May, 2000 – Rev. 0  
DTC114E/D  
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DTC114T_11 UTC

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 		NPN DIGITAL TRANSISTOR
DTC114T_15 UTC

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 		NPN DIGITAL TRANSISTOR
DTC114TA ROHM

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 		DTA/DTC SERIES
DTC114TAA ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SIP
DTC114T-AE3-6-R UTC

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 		NPN DIGITAL TRANSISTOR NPN DIGITAL TRANSISTOR
DTC114T-AE3-R UTC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23,
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-323
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 		NPN DIGITAL TRANSISTOR NPN DIGITAL TRANSISTOR
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