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DTC114TCA PDF预览

DTC114TCA

更新时间： 2024-02-09 01:25:40
品牌 Logo 应用领域
威伦 - WILLAS 晶体数字晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 296K
描述
NPN Digital Transistor

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DTC114TCA 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.57
Is Samacsys：N其他特性：DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
最大集电极电流 (IC)：0.07 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：68
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

DTC114TCA 数据手册

 浏览型号DTC114TCA的Datasheet PDF文件第2页 
WILLAS  
DTC114TCA  
NPN Digital Transistor  
SOT-23  
Features  
·
Pb-Free package is available  
RoHS product for packing code suffix ”G”  
.122(3.10)  
.106(2.70)  
Halogen free product for packing code suffix “H”  
·
·
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
xꢀ Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit  
without connecting external input resistors (see equivalent circuit)  
xꢀ The bias resistors consist of thin-film resistors with complete  
isolation to allow negative biasing of the input. They also have the  
advantage of almost completely eliminating parasitic effects  
xꢀ Only the on/off conditions need to be set for operation, making  
device design easy  
.080(2.04)  
.070(1.78)  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Collector-Base Voltage  
Symbol  
VCBO  
Value  
50  
Unit  
V
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base voltage  
VCEO  
50  
V
VEBO  
5
V
Collector Current-Continuous  
IC  
100  
mA  
Collector Dissipation  
PC  
200  
mW  
к
к
Junction Temperature  
TJ  
150  
.008(0.20)  
.003(0.08)  
Storage Temperature Range  
TSTG  
-55~150  
Electrical Characteristics  
.004(0.10)MAX.  
Sym  
Parameter  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=50uA, IE=0)  
Min  
Typ  
Max Unit  
V(BR)CBO  
50  
50  
5
---  
---  
---  
---  
---  
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=1mA, IB=0)  
.020(0.50)  
.012(0.30)  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
---  
V
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=50uA, IC=0)  
---  
V
Collector Cut-off Current  
(VCB=50V, IE=0)  
Dimensions in inches and (millimeters)  
---  
0.5  
uA  
Emitter Cut-off Current  
(VEB=4V, IC=0)  
IEBO  
---  
---  
0.5  
uA  
---  
DC Current Gain  
(VCE=5V, IC=1mA)  
hFE  
100  
300  
600  
Suggested Solder  
Pad Layout  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=10mA, IB=1mA)  
VCE(sat)  
R1  
---  
7
---  
10  
0.3  
13  
---  
V
.031  
.800  
Input Resistor  
K¡  
MHz  
Transition Frequency  
(VCE=10V, IE=-5mA, f=100MHz)  
.035  
.900  
fT  
---  
250  
.079  
2.000  
inches  
mm  
.037  
.950  
*Marking: 04  
.037  
.950  
2012-10  
WILLAS ELECTRONIC CORP.  
12

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