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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> DTC114ESA-AP-HF
DTC114ESA-AP-HF PDF预览

DTC114ESA-AP-HF

更新时间： 2024-01-16 13:34:16
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体数字晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 90K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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DTC114ESA-AP-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.57
Is Samacsys：N其他特性：DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
最大集电极电流 (IC)：0.07 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：68
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

DTC114ESA-AP-HF 数据手册

 浏览型号DTC114ESA-AP-HF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DTC114ESA-AP-HF的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
DTC114ECA  
Micro Commercial Components  
Features  
•
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
NPN  
Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1  
•
Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit  
Digital Transistors  
without connecting external input resistors  
•
•
The bias resistors consist of thin-film resistors with complete  
isolation to allow negative biasing of the input. They also have the  
advantage of almost completely eliminating parasitic effects.  
Only the on/off conditions need to be set for operation, making  
device design easy  
SOT-23  
A
D
Absolute maximum ratings @ 25R  
Symbol  
Parameter  
Supply voltage  
Input voltage  
Min  
---  
-10  
---  
---  
---  
Typ  
50  
---  
50  
200  
150  
Max  
---  
40  
100  
---  
---  
Unit  
V
V
3
VCC  
VIN  
IO  
Pd  
Tj  
1. IN  
2. GND  
3. OUT  
B
C
1
2
Output current  
mA  
mW  
?
Power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
F
E
Tstg  
-55  
---  
150  
?
Electrical Characteristics @ 25R  
Symbol  
VI(off)  
VI(on)  
VO(on)  
II  
IO(off)  
GI  
R1  
Parameter  
Input voltage (VCC=5V, IO=100IA)  
(VO=0.3V, IO=10mA)  
Min  
---  
3.0  
---  
---  
---  
30  
7.0  
0.8  
Typ  
---  
---  
0.1  
---  
---  
---  
10  
1.0  
Max  
0.5  
---  
0.3  
0.88  
0.5  
---  
Unit  
V
V
G
H
J
K
Output voltage (IO/II=10mA/0.5mA)  
Input current (VI=5V)  
V
DIMENSIONS  
MM  
mA  
IA  
K=  
Output current (VCC=50V, VI=0)  
DC current gain (VO=5V, IO=5mA)  
Input resistance  
Resistance ratio  
Transition frequency  
(VCE=10V, IE=5mA, f=100MHz)  
INCHES  
MIN  
DIM  
A
B
C
D
E
MAX  
.120  
.098  
.055  
.041  
.081  
.024  
.0039  
.044  
.007  
.020  
MIN  
2.80  
2.10  
1.20  
.89  
1.78  
.45  
.013  
.89  
MAX  
3.04  
2.64  
1.40  
1.03  
2.05  
.60  
NOTE  
.110  
.083  
.047  
.035  
.070  
.018  
.0005  
.035  
.003  
.015  
13  
1.2  
R2/R1  
fT  
---  
250  
---  
MHz  
F
G
H
J
.100  
1.12  
.180  
.51  
MARKING: 24  
.085  
.37  
K
Suggested Solder  
Pad Layout  
.031  
.800  
.035  
.900  
.079  
2.000  
inches  
mm  
.037  
.950  
.037  
.950  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: 2  
2008/01/01  
123

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与DTC114ESA-AP-HF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DTC114ESA-BP MCC

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 		暂无描述
DTC114ESA-BP-HF MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
DTC114ESARS TSC

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 		NPN Small Signal Transistor
DTC114ESARSG TSC

获取价格

 		NPN Small Signal Transistor
DTC114ESA-TA RECTRON

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
DTC114ESATP ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SPT, SC
DTC114E-T92-B UTC

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 		TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23VAR
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