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DTC114ESA

更新时间： 2024-01-02 21:28:35
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体数字晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 497K
描述
Digital Transistors

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DTC114ESA 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.57
Is Samacsys：N其他特性：DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
最大集电极电流 (IC)：0.07 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：68
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

DTC114ESA 数据手册

 浏览型号DTC114ESA的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DTC114ESA的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
DTC114ESA  
Micro Commercial Components  
Features  
•
Lead Free Finish/Rohs Compliant (Note1) ("P"Suffix designates  
Compliant. See ordering information)  
Digital Transistors  
·
·
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisture Sensitivity Level 1  
•
Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit  
without connecting external input resistors  
•
•
The bias resistors consist of thin-film resistors with complete  
isolation to allow negative biasing of the input. They also have the  
advantage of almost completely eliminating parasitic effects.  
Only the on/off conditions need to be set for operation, making  
device design easy  
TO-92S  
B
Absolute maximum ratings @ 25℃  
C
Symbol  
Parameter  
Supply voltage  
Input voltage  
Min  
---  
-10  
---  
---  
---  
Typ  
50  
---  
50  
300  
150  
Max  
---  
40  
100  
---  
---  
Unit  
V
V
VCC  
VIN  
IO  
Pd  
Tj  
Output current  
mA  
mW  
℃
Power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tstg  
-55  
---  
150  
℃
Electrical Characteristics @ 25℃  
Symbol  
VI(off)  
VI(on)  
VO(on)  
II  
IO(off)  
GI  
R1  
Parameter  
Input voltage (VCC=5V, IO=100μA)  
(VO=0.3V, IO=10mA)  
Min  
---  
3.0  
---  
---  
---  
30  
7.0  
0.8  
Typ  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
10  
1.0  
Max  
0.5  
---  
0.3  
0.88  
0.5  
---  
Unit  
V
V
Output voltage (IO/II=10mA/0.5mA)  
Input current (VI=5V)  
V
mA  
μA  
KΩ  
Output current (VCC=50V, VI=0)  
DC current gain (VO=5V, IO=5mA)  
Input resistance  
Resistance ratio  
Transition frequency  
(VCE=10V, IE=5mA, f=100MHz)  
13  
1.2  
R2/R1  
fT  
---  
250  
---  
MHz  
3
2
1
D
1.GND  
E
2.OUT  
3.1N  
INCHES  
MM  
DIM  
A
MIN  
.056  
MAX  
.064  
MIN  
1.42  
3.90  
3.05  
1.27  
MAX  
NOTE  
1.62  
B
C
D
.154  
.120  
.161  
.128  
4.10  
3.25  
.05  
TYP  
E
L
.096  
.594  
.104  
.610  
2.44  
15.10  
2.64  
15.50  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: A  
2011/04/22  
123

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