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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.21 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | DIGITAL, BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 39 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | BIP General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| DDTB123EC-7-F | DIODES |
功能相似  |
PNP PRE-BIASED 500 mA SOT-23 SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
|
| RN2422 | TOSHIBA |
功能相似 |
PNP EPITAXIAL TYPE (SWITCHING, INVERTER CIRCUIT, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPL |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DTB123EK_09 | ROHM |
获取价格 |
-500mA / -50V Digital transistors (with built-in resistors) |
|
| DTB123EKFRAT146 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, |
|
| DTB123EKT246 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, |
|
| DTB123EL | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SIP |
|
| DTB123EL-AE3-R | UTC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, |
|
| DTB123ELTL4 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, FTL, 3 |
|
| DTB123EN | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | TO-92 |
|
| DTB123ES | ROHM |
获取价格 |
Digital transistors (built-in resistors) |
|
| DTB123ESTP | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SPT, SC |
|
| DTB123EV | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SIP |
|
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