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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SC-72 | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.61 | 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 39 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | BIP General Purpose Small Signal | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN SILVER COPPER | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz | VCEsat-Max： | 0.3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DTB123EV | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SIP |
|
| DTB123EVTV3 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ATV, 3 |
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| DTB123T | ROHM |
获取价格 |
DIGITAL TRANSISTOR |
|
| DTB123TA | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | SIP |
|
| DTB123TC | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMOL |
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| DTB123TCHZG | ROHM |
获取价格 |
DTB123TCHZG是适合逆变器、接口、驱动器用途的车载型高可靠性晶体管。 |
|
| DTB123TCHZGT116 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, |
|
| DTB123TCT116 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMOL |
|
| DTB123TCT117 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMOL |
|
| DTB123TCT216 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, |
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