Datasheet > DTA124EXV3T1

DTA124EXV3T1

更新时间： 2024-11-13 03:13:35

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		晶体数字晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	125K
描述
Digital Transistors (BRT)

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

DTA124EXV3T1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-89	包装说明：	LEAD FREE, CASE 463C-03, SC-89, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.51	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

DTA124EXV3T1 数据手册

DTA114EXV3T1 Series

Preferred Devices

Digital Transistors (BRT)

PNP Silicon Surface Mount Transistors

with Monolithic Bias Resistor Network

This new series of digital transistors is designed to replace a single

device and its external resistor bias network. The digital transistor

contains a single transistor with a monolithic bias network consisting

of two resistors; a series base resistor and a base−emitter resistor. The

digital transistor eliminates these individual components by

integrating them into a single device. The use of a digital transistor can

reduce both system cost and board space. The device is housed in the

SC−89 package which is designed for low power surface mount

applications.

http://onsemi.com

PNP SILICON

DIGITAL

TRANSISTORS

• Simplifies Circuit Design

• Reduces Board Space

• Reduces Component Count

• Available in 8 mm, 7 inch/3000 Unit Tape & Reel

• Lead−Free Plating (Pure Sn)

PIN 3

COLLECTOR

(OUTPUT)

PIN 1

BASE

(INPUT)

PIN 2

EMITTER

(GROUND)

MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)

Rating

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Collector Current

Symbol

Value

Unit

Vdc

CBO

CEO

Vdc

100

mAdc

SC−89

CASE 463C

STYLE 1

MARKING DIAGRAM

xx D

xx = Specific Device Code

(See Marking Table on page 2)

D = Date Code

Preferred devices are recommended choices for future use

and best overall value.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2004

Publication Order Number:

January, 2004 − Rev. 0

DTA114EXV3T1/D

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

与DTA124EXV3T1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DTA124EXV3T1G	ONSEMI	获取价格	PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SC-89
DTA124G	ROHM	获取价格	DIGITAL TRANSISTOR
DTA124GA	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SIP
DTA124GAA	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SIP
DTA124GAAC2	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ATR, 3
DTA124GC	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-23
DTA124GCA	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-23
DTA124GCAT116	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MINIMOL
DTA124GCAT216	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23,
DTA124GE	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SOT-23VAR

与DTA124EXV3T1相关文章

国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

26
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

10
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
2024-11-14

11
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

32

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

DTA124EXV3T1

DTA124EXV3T1 技术参数

DTA124EXV3T1 数据手册

与DTA124EXV3T1相关器件

与DTA124EXV3T1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

DTA124EXV3T1

DTA124EXV3T1 技术参数

DTA124EXV3T1 数据手册

与DTA124EXV3T1相关器件

与DTA124EXV3T1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？