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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> DTA114TUA
DTA114TUA PDF预览

DTA114TUA

更新时间： 2024-11-25 09:58:03
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 106K
描述
PNP Digital Transistor

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DTA114TUA 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
零件包装代码：SC-70包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.19
Is Samacsys：N其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
Base Number Matches：1

DTA114TUA 数据手册

 浏览型号DTA114TUA的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DTA114TUA的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
DTA114TUA  
Micro Commercial Components  
Features  
•
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability Classification Rating  
94V-0 and MSL Rating 1  
PNP Digital Transistor  
xꢀ Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit  
without connecting external input resistors (see equivalent circuit)  
xꢀ The bias resistors consist of thin-film resistors with complete  
isolation to allow negative biasing of the input. They also have the  
advantage of almost completely eliminating parasitic effects  
xꢀ Only the on/off conditions need to be set for operation, making  
device design easy  
SOT-323  
A
D
3
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Collector-Base Voltage  
1: Base  
2: Emitter  
3: Collector  
Symbol  
VCBO  
Value  
-50  
Unit  
V
C
B
1
2
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base voltage  
VCEO  
VEBO  
IC  
-50  
-5  
V
V
F
E
Collector Current-Continuous  
-100  
mA  
Collector Dissipation  
PC  
200  
mW  
к
к
Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
TJ  
-55~150  
-55~150  
H
G
J
TSTG  
K
DIMENSIONS  
Electrical Characteristics  
INCHES  
MAX  
MM  
DIM  
A
B
C
D
E
MIN  
.071  
.045  
.079  
MIN  
1.80  
1.15  
2.00  
MAX  
2.20  
1.35  
2.20  
NOTE  
Sym  
Parameter  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=-50uA, IE=0)  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
.087  
.053  
.087  
V(BR)CBO  
-50  
---  
---  
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=-1mA, IB=0)  
.026 Nominal  
0.65Nominal  
1.20  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-50  
-5  
---  
---  
---  
V
.047  
.012  
.000  
.035  
.004  
.012  
.055  
.016  
.004  
.039  
.010  
.016  
1.40  
.40  
.100  
1.00  
.250  
.40  
F
.30  
.000  
.90  
.100  
.30  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=-50uA, IC=0)  
---  
V
G
H
J
Collector Cut-off Current  
(VCB=-50V, IE=0)  
---  
---  
-0.5  
-0.5  
600  
uA  
uA  
---  
K
Emitter Cut-off Current  
(VEB=-4V, IC=0)  
Suggested Solder  
Pad Layout  
IEBO  
---  
---  
DC Current Gain  
(VCE=-5V, IC=-1mA)  
hFE  
100  
250  
0.70  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=-10mA, IB=-1mA)  
VCE(sat)  
R1  
---  
7
---  
10  
-0.3  
13  
V
0.90  
Input Resistor  
K¡  
MHz  
Transition Frequency  
(VCE=-10V, IC=-5mA, f=100MHz)  
fT  
---  
250  
---  
1.90  
*Marking: 94  
0.65  
0.65  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: 3  
2009/02/11  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DTA114-TUA TSC

获取价格

 		PNP Digital Transistor
DTA114TUA_11 MCC

获取价格

 		PNP Digital Transistor
DTA114TUAFRAT106 ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
DTA114TUAP MCC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-323
DTA114TUA-T MCC

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 		Transistor
DTA114TUAT106 ROHM

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DTA114TUAT107 ROHM

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DTA114TUB ROHM

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 		-100mA / -50V Digital transistors

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