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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> DSSK80-003B
DSSK80-003B PDF预览

DSSK80-003B

更新时间： 2024-02-20 04:27:51
品牌 Logo 应用领域
IXYS 整流二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 67K
描述
Power Schottky Rectifier with common cathode

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DSSK80-003B 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.74Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY, LOW NOISE, FREE WHEELING DIODE应用：POWER
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.39 VJEDEC-95代码：TO-247AD
JESD-30 代码：R-PSFM-T3最大非重复峰值正向电流：600 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：40 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：30 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

DSSK80-003B 数据手册

 浏览型号DSSK80-003B的Datasheet PDF文件第2页 
DSSK 80-0025B  
DSSK 80-003B  
IFAV = 2x40 A  
VRRM = 25 / 30 V  
VF = 0.39 V  
Power Schottky Rectifier  
with common cathode  
TO-247 AD  
VRSM  
V
VRRM  
V
Type  
A
C
A
A
C
A
25  
30  
25  
30  
DSSK 80-0025B  
DSSK 80-003B  
AB)  
A = Anode, C = Cathode , TAB = Cathode  
Symbol  
Conditions  
Maximum Ratings  
Features  
• International standard package  
• Very low VF  
• Extremely low switching losses  
• Low IRM-values  
IFRMS  
IFAV  
IFAV  
70  
40  
80  
A
A
A
TC = 130°C; rectangular, d = 0.5  
TC = 130°C; rectangular, d = 0.5; per device  
• Epoxy meets UL 94V-0  
IFSM  
TVJ = 45°C; tp = 10 ms (50 Hz), sine  
600  
10  
A
mJ  
EAS  
IAS = 6 A; L = 180 µH; TVJ = 25°C; non repetitive  
VA =1.5 • VRRM typ.; f=10 kHz; repetitive  
Applications  
• Rectifiers in switch mode power  
supplies (SMPS)  
IAR  
6
A
(dv/dt)cr  
5000  
V/µs  
• Free wheeling diode in low voltage  
converters  
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-55...+150  
150  
-55...+150  
°C  
°C  
°C  
Advantages  
Ptot  
TC = 25°C  
mounting torque  
typical  
155  
0.8...1.2  
6
W
Nm  
g
• High reliability circuit operation  
• Low voltage peaks for reduced  
protection circuits  
• Low noise switching  
• Low losses  
Md  
Weight  
Dimensions see pages D2 - 87-88  
Symbol  
IR ꢀ  
VF  
Conditions  
Characteristic Values  
typ.  
max.  
TVJ = 25°C VR = VRRM  
TVJ = 100°C VR = VRRM  
40  
250  
mA  
mA  
IF = 40 A; TVJ = 125°C  
IF = 40 A; TVJ = 25°C  
IF = 80 A; TVJ = 125°C  
0.39  
0.48  
0.56  
V
V
V
RthJC  
RthCH  
0.8  
K/W  
K/W  
0.25  
Pulse test: ꢀPulse Width = 5 ms, Duty Cycle < 2.0 %  
Data according to IEC 60747 and per diode unless otherwise specified  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© 2002 IXYS All rights reserved  
1 - 2  
12

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DSSK80-003B 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
DSEP60-12A IXYS

功能相似

 HiPerFRED Epitaxial Diode with soft recovery
DSP25-12A IXYS

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DSEI60-12A IXYS

功能相似

 Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)

与DSSK80-003B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DSSK80-0045 IXYS

获取价格

 		Power Schottky Rectifier with common cathode
DSSK80-0045A IXYS

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 40A, 45V V(RRM), Silicon, TO-247AD,
DSSK80-0045B IXYS

获取价格

 		Power Schottky Rectifier with common cathode
DSSK80-0045B LITTELFUSE

获取价格

 		肖特基低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达150V的击穿电压。
DSSK80-006B IXYS

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 		Power Schottky Rectifier with common cathode
DSSK80-006B LITTELFUSE

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 		肖特基低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达150V的击穿电压。
DSSK80-006BR IXYS

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 		Power Schottky Rectifier with common cathode
DSSS30-01AR LITTELFUSE

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 100V V(RRM), Silicon, ISOPLUS247, 3 PI
DSSS30-01AR IXYS

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 30A, 100V V(RRM), Silicon, ISOPLUS247, 3 PI
DSSS35-008AR IXYS

获取价格

 		Power Schottky Rectifier dual diode

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