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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
5页 | 561K | |
描述 | ||
肖特基低漏电流系列提供各种封装,漏电流改进,击穿电压高达200V。 |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | R-PUFM-X4 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.74 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 应用: | GENERAL PURPOSE |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 0.72 V | JESD-30 代码: | R-PUFM-X4 |
最大非重复峰值正向电流: | 1400 A | 元件数量: | 2 |
相数: | 1 | 端子数量: | 4 |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
最大输出电流: | 110 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散: | 310 W |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 80 V |
最大反向电流: | 20000 µA | 反向测试电压: | 80 V |
子类别: | Other Diodes | 表面贴装: | NO |
技术: | SCHOTTKY | 端子面层: | Nickel (Ni) |
端子形式: | UNSPECIFIED | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DSS2X121-0045B | IXYS |
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Power Schottky Rectifier | |
DSS2X121-0045B | MICROSEMI |
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2 X 160A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER | |
DSS2X121-0045B | LITTELFUSE |
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肖特基低Vf系列提供改进的正向电压特性和高达150V的击穿电压。 | |
DSS2X160-0035A | IXYS |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 160A, 35V V(RRM), Silicon, SOT-227B, MINIBL | |
DSS2X160-0045A | IXYS |
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Power Schottky Rectifier | |
DSS2X160-0045A | LITTELFUSE |
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肖特基低漏电流系列提供各种封装,漏电流改进,击穿电压高达200V。 | |
DSS2X160-01A | IXYS |
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Power Schottky Rectifier | |
DSS2X160-01A | LITTELFUSE |
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肖特基低漏电流系列提供各种封装,漏电流改进,击穿电压高达200V。 | |
DSS2X200-0008D | IXYS |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 200A, 8V V(RRM), Silicon, PLASTIC, MINIBLOC | |
DSS2X41-01A | IXYS |
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Power Schottky Rectifier |