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Datasheet > DSM10G-TR-E
DSM10G-TR-E PDF预览

DSM10G-TR-E

更新时间： 2024-11-10 11:13:51
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 78K
描述
600 V，1.0 A 功率整流器

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DSM10G-TR-E 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.72
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.1 V
JESD-30 代码：R-PDSO-C2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：25 A
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最大输出电流：0.75 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：600 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

DSM10G-TR-E 数据手册

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Ordering number : EN2794C  
Diffused Junction Silicon Diode  
DSM10G  
1.0A Power Rectifier  
Features  
•
Facilitates automatic mounting and miniaturization in end products.  
=600V.  
• Peak reverse voltage : V  
RM  
• Average output current : I =1.0A.  
O
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C  
Parameter  
Peak Reverse Voltage  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
V
RM  
600  
1.0  
50Hz sine wave, mounted on an alumina board  
Load resistor, mounted on a PCB  
A
Average Output Current  
I
O
0.75  
25  
A
Surge Forward Current  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
I
50Hz sine wave, non-repetitive, 1 cycle peak value  
A
FSM  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
--55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta=25°C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Forward Voltage  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
max  
1.1  
10  
V
F
I =1A  
V
F
Reverse Current  
I
R
V
=V  
R RM  
µA  
θj-l  
Junction-Lead  
23  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance  
Junction-Ambient Mounted on an alumina board  
Mounted on a PCB  
108  
157  
θj-a  
© 2011, SCILLC. All rights reserved.  
Jan-2011, Rev. 0  
Publication Order Number:  
www.onsemi.com  
DSM10G/D  
123

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