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DSB1A100E3

更新时间: 2024-11-06 14:49:11
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
6页 327K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

DSB1A100E3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:O-LALF-W2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.56其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.69 VJEDEC-95代码:DO-41
JESD-30 代码:O-LALF-W2最大非重复峰值正向电流:25 A
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最大输出电流:1 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压:100 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO技术:SCHOTTKY
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

DSB1A100E3 数据手册

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