Datasheet > DSA2002-R

DSA2002-R

更新时间： 2024-02-02 00:02:31

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	479K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, MINI3-G3-B, 3 PIN

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

DSA2002-R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.76
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	120
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	130 MHz	Base Number Matches：	1

DSA2002-R 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

DSA2002

Silicon PNP epitaxial planar type

For general ampliﬁcation

Complementary to DSC2002

 Features

 Package

ꢀCode

 High forward current transfer ratio h_FEwith excellent linearity

 Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

 Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count.

 Eco-friendly Halogen-free package

Mini3-G3-B-B

ꢀPin Name

1. Base

2. Emitter

3. Collector

 Packaging

Embossed type (Thermo-compression sealing): 3000 pcs / reel (standard)

 Marking Symbol: A2

 Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

–60

Unit

–50

–5

–500

–1

Peak collector current

I_CP

Collector power dissipation

Junction temperature

P_C

200

°C

T_j

150

Storage temperature

stg

–55 to +150

 Electrical Characteristics T_a= 25°C±3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

–60

–50

–5

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

V_CBOI_C= –10 mA, I_E= 0

V_CEOI_C= –2 mA, I_B= 0

V_EBOI_E= –10 mA, I_C= 0

I_CBO

V_CB= –20 V, I_E= 0

– 0.1

340

h_FE1

V_CE= –10 V, I_C= –150 mA

V_CE= –10 V, I_C= –500 mA

120

Forward current transfer ratio ^*



h_FE2

Collector-emitter saturation voltage ^*

V_CE(sat)I_C= –300 mA, I_B= –30 mA

V_BE(sat)I_C= –300 mA, I_B= –30 mA

– 0.2

– 0.9

130

– 0.6

– 1.5

Base-emitter saturation voltage ^*

Transition frequency

f_T

V_CE= –10 V, I_C= –50 mA

MHz

Collector output capacitance

C_ob

V_CB= –10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

7.3

(Common base, input open circuited)

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. 1: Pulse measurement

2: Rank classiﬁcation

Code

Rank

No-rank

120 to 340

h_FE1

120 to 240

A2R

170 to 340

A2S

Marking Symbol

Product of no-rank is not classiﬁed and have no marking symbol for rank.

Publication date: January 2011

Ver. CED

12 3 4

下载PDF

与DSA2002-R相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
DSA2002-S	PANASONIC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO	获取价格
DSA-2020	ADVANTECH	Solid-state Network Digital Signage Media Player	获取价格
DSA-2020SA	ADVANTECH	Solid-state Network Digital Signage Media Player	获取价格
DSA-2020SAE	ADVANTECH	Solid-state Network Digital Signage Media Player	获取价格
DSA20C100PB	LITTELFUSE	肖特基低漏电流系列提供各种封装，漏电流改进，击穿电压高达200V。	获取价格
DSA20C100PN	LITTELFUSE	肖特基低漏电流系列提供各种封装，漏电流改进，击穿电压高达200V。	获取价格

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

DSA2002-R

DSA2002-R 技术参数

DSA2002-R 数据手册

与DSA2002-R相关器件

与DSA2002-R相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

DSA2002-R

DSA2002-R 技术参数

DSA2002-R 数据手册

与DSA2002-R相关器件

与DSA2002-R相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？