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Datasheet > DSA20C45PB
DSA20C45PB PDF预览

DSA20C45PB

更新时间： 2024-02-08 06:33:42
品牌 Logo 应用领域
IXYS 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
2页 102K
描述
Schottky High Performance Schottky Diode Low Loss and Soft Recovery

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DSA20C45PB 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220AB
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：8.35
其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY, LOW NOISE应用：POWER
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.61 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：90 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：45 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

DSA20C45PB 数据手册

 浏览型号DSA20C45PB的Datasheet PDF文件第2页 
DSA 20 C 45PB  
advanced  
VRRM  
=
45 V  
10 A  
Schottky  
IFAV = 2x  
High Performance Schottky Diode  
Low Loss and Soft Recovery  
Common Cathode  
VF = 0.62 V  
1
2
3
(Marking on product)  
Part number  
DSA 20 C 45PB  
Features / Advantages:  
Applications:  
Package:  
● Very low Vf  
● Extremely low switching losses  
● Low Irm-values  
● Improved thermal behaviour  
● High reliability circuit operation  
● Low voltage peaks for reduced  
protection circuits  
● Rectifiers in switch mode power  
supplies (SMPS)  
● Free wheeling diode in low voltage  
converters  
TO-220AB  
● Industry standard outline  
● Epoxy meets UL 94V-0  
● RoHS compliant  
● Low noise switching  
● Low losses  
R a t i n g s  
Unit  
Symbol  
VRRM  
Definition  
Conditions  
min.  
typ.  
max.  
max. repetitive reverse voltage  
=
=
25 °C  
25 °C  
45  
V
TVJ  
reverse current  
forward voltage  
IR  
VR = 45 V  
VR = 45 V  
0.2  
2
TVJ  
TVJ  
mA  
mA  
= 125 °C  
IF  
IF  
=
=
10 A  
20 A  
0.75  
0.88  
VF  
V
V
TVJ  
TVJ  
=
=
25 °C  
IF  
IF  
=
=
10 A  
20 A  
0.62  
0.76  
V
V
125  
°C  
average forward current  
threshold voltage  
IFAV  
rectangular, d = 0.5  
TC = 155 °C  
TVJ = 175 °C  
10  
A
V
V
0.42  
13.3  
F0  
for power loss calculation only  
slope resistance  
r F  
m
Ω
thermal resistance junction to case  
virtual junction temperature  
total power dissipation  
RthJC  
TVJ  
2.60  
175  
60  
K/W  
°C  
-55  
Ptot  
=
25 °C  
W
TC  
max. forward surge current  
junction capacitance  
IFSM  
CJ  
tp = 10 ms (50 Hz), sine  
TVJ  
TVJ  
TVJ  
=
=
=
45 °C  
25°C  
25 °C  
90  
A
pF  
mJ  
A
VR =  
IAS  
V; f = 1 MHz  
non-repetitive avalanche energy  
repetitive avalanche current  
EAS  
IAR  
=
A; L = 100 µH  
tbd  
tbd  
V = 1.5·V typ.;  
f = 10 kHz  
A
R
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensi  
Data according to IEC 60747and per diode unless otherwise specified  
© 2005 IXYS all rights reserved  
12

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