是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | BGA, |
针数: | 256 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.91 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 100 ns | JESD-30 代码: | S-PBGA-B256 |
长度: | 27 mm | 内存密度: | 8388608 bit |
内存集成电路类型: | NON-VOLATILE SRAM MODULE | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 256 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 1MX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | BGA |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | GRID ARRAY |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 8.72 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 27 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
DS3065W-100# | MAXIM |
功能相似 |
Non-Volatile SRAM Module, 1MX8, 100ns, CMOS, PBGA256, 27 X 27 MM, ROHS COMPLIANT, BGA-256 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DS3065W-100# | MAXIM |
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Non-Volatile SRAM Module, 1MX8, 100ns, CMOS, PBGA256, 27 X 27 MM, ROHS COMPLIANT, BGA-256 | |
DS3065WP | MAXIM |
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3.3V, 8Mb, Nonvolatile SRAM with Clock | |
DS3065WP-100IND+ | MAXIM |
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3.3V, 8Mb, Nonvolatile SRAM with Clock | |
DS306-91FZ103Z50 | MURATA |
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Data Line Filter, 1 Function(s), 50V, 6A | |
DS306-91Y5S102M50 | MURATA |
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Data Line Filter, 1 Function(s), 50V, 6A | |
DS306-91Y5S220M50 | MURATA |
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Data Line Filter, 1 Function(s), 50V, 6A | |
DS306-91Y5S222M50 | MURATA |
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Data Line Filter, 1 Function(s), 50V, 6A | |
DS306-91Y5S271M50 | MURATA |
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Data Line Filter, 1 Function(s), 50V, 6A | |
DS306-91Y5S330M50 | MURATA |
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Data Line Filter, 1 Function(s), 50V, 6A | |
DS306-91Y5S470M50 | MURATA |
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Data Line Filter, 1 Function(s), 50V, 6A |