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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | 0.150 INCH, SOIC-8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| HTS代码： | 8542.32.00.71 | 风险等级： | 5.71 |
| Is Samacsys： | N | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 4.9 mm |
| 内存密度： | 256 bit | 内存集成电路类型： | MEMORY CIRCUIT |
| 内存宽度： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 字数： | 256 words |
| 字数代码： | 256 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 256X1 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | SOP8,.25 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 | 电源： | 2.4/10 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.75 mm |
| 子类别： | Other Memory ICs | 最大供电电压 (Vsup)： | 10 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.4 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 3.9 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DS2436Z/T&R | DALLAS |
获取价格 |
Battery ID/Monitor Chip |
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| DS2436Z/TR-W | MAXIM |
获取价格 |
Memory IC |
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| DS2436Z+ | DALLAS |
获取价格 |
Battery ID/Monitor Chip |
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| DS2436Z+R | DALLAS |
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Battery ID/Monitor Chip |
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| DS2436Z+T | DALLAS |
获取价格 |
Battery ID/Monitor Chip |
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| DS2436Z+T&R | DALLAS |
获取价格 |
Battery ID/Monitor Chip |
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| DS2436Z-W | MAXIM |
获取价格 |
Memory IC |
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| DS2437 | DALLAS |
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Smart Battery Monitor |
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| DS2437S | DALLAS |
获取价格 |
IC-SM-BATT MONITOR |
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| DS2438 | DALLAS |
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Smart Battery Monitor |
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