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DS2064S-200

更新时间： 2024-11-24 04:15:11
品牌 Logo 应用领域
达拉斯 - DALLAS 存储内存集成电路静态存储器光电二极管输出元件输入元件
页数 文件大小 规格书
9页 77K
描述
8K x 8 Static RAM

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DS2064S-200 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：0.330 INCH, SOIC-28
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.8
Is Samacsys：N最长访问时间：200 ns
其他特性：TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTSJESD-30 代码：R-PDSO-G28
内存密度：65536 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8功能数量：1
端口数量：1端子数量：28
字数：8192 words字数代码：8000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：8KX8
输出特性：3-STATE可输出：YES
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
认证状态：Not Qualified最小待机电流：2 V
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

DS2064S-200 数据手册

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DS2064  
DS2064  
8K x 8 Static RAM  
FEATURES  
PIN ASSIGNMENT  
• Low power CMOS design  
1
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
NC  
A12  
A7  
V
CC  
• Standby current  
2
WE  
50 nA max at t = 25°C V = 3.0V  
100 nA max at t = 25°C V = 5.5V  
1 µA max at t = 60°C V = 5.5V  
3
CE2  
A8  
A
CC  
A
CC  
4
A6  
A
CC  
5
A5  
A9  
6
A4  
A11  
OE  
• Full operation for V = 4.5V to 5.5V  
CC  
7
A3  
• Data Retention Voltage = 5.5V to 2.0V  
• Access time equals 200 ns at 5.0V  
• Operating temperature range of –40°C to +85°C  
• Full static operation  
8
A2  
A10  
CE1  
DQ7  
DQ6  
DQ5  
DQ4  
DQ3  
9
A1  
10  
11  
12  
13  
14  
A0  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
GND  
• TTL compatible inputs and outputs  
• Available in 28–pin DIP and 28–pin SOIC packages  
DS2064–200 28–PIN DIP (600 MIL)  
DS2064S–200 28–PIN SOIC (330 MIL)  
• Suitablefor both battery operated and battery backup  
applications  
PIN DESCRIPTION  
A0–A12  
DQ0–DQ7  
CE1, CE2  
WE  
–
–
–
–
–
–
–
–
Address Inputs  
Data Input/Output  
Chip Enable Inputs  
Write Enable Input  
Output Enable Input  
5V Power Supply Input  
Ground  
OE  
V
CC  
GND  
NC  
No Connection  
DESCRIPTION  
The DS2064 is a 65536–bit low power, fully static ran-  
dom access memory organized as 8192 words by eight  
bits using CMOS technology. The device operates from  
a single power supply with a voltage input between 4.5V  
and 5.5V. The chip enable inputs (CE1 and CE2) are  
used for device selection and can be used in order to  
achieve the minimum standby current mode, which fa-  
cilitates both battery operate and battery backup appli-  
cations. The device provides fast access time of 200 ns  
and is most suitable for low power applications where  
battery operation or battery backup for nonvolatility are  
required. The DS2064 is a JEDEC–standard 8K x 8  
SRAM and is pin–compatible with ROM and EPROM of  
similar density.  
022598 1/9  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		暂无描述
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