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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP32,.6 | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.86 |
| 最长访问时间： | 150 ns | 其他特性： | DATA RETENTION = 10 YRS |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T32 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 42.925 mm | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM MODULE | 内存宽度： | 8 |
| 混合内存类型： | N/A | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 128KX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP32,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 3/3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 9.52 mm | 最大待机电流： | 0.004 A |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.04 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 15.24 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DS1745Y-150-IND | MAXIM |
获取价格 |
128KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150ns, PDIP32, 0.740 INCH, PLASTIC, DIP-32 |
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| DS1745Y-200 | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 200ns, CMOS, |
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| DS1745Y-200IND | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 200ns, CMOS, PDIP32, 0.740 INCH, PLASTIC, DIP-32 |
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| DS1745Y-200IND | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 200ns, CMOS, |
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| DS1745Y-200-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
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| DS1745YL-150 | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 128KX8, 150ns, CMOS, |
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| DS1745YL-150-IND | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 128KX8, 150ns, CMOS, |
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| DS1745YL-200 | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
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| DS1745YL-200-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
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| DS1745YLPM-150 | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 150ns, CMOS, |
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