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DS1745YLPM-200IND

更新时间: 2024-01-29 21:00:38
品牌 Logo 应用领域
达拉斯 - DALLAS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 550K
描述
Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 200ns, CMOS,

DS1745YLPM-200IND 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.78最长访问时间:200 ns
其他特性:DATA RETENTION = 10 YRSJESD-30 代码:R-XDFP-U34
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:34
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:128KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:UNSPECIFIED封装等效代码:MODULE,34LEAD,1.0
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL电源:3/3.3 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.004 A
子类别:SRAMs最大压摆率:0.04 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:J INVERTED端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

DS1745YLPM-200IND 数据手册

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