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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | LOW PROFILE, SMT-34 |
| 针数： | 34 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.44 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 100 ns | 其他特性： | 10 YEAR DATA RETENTION PERIOD |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-U34 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 24.5745 mm | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM MODULE | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 34 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 128KX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOJ-I |
| 封装等效代码： | MODULE,34LEAD,1.0 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 6.35 mm | 最大待机电流： | 0.00015 A |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.085 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | J INVERTED |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 21.5265 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| DS1345YL-70 | DALLAS | 1024K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor |
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| DS1345YL-70-IND | DALLAS | 1024K Nonvolatile SRAM with Battery Monitor |
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| DS1345YLPM-100 | MAXIM | Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 100ns, CMOS, PDFP34, |
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| DS1345YLPM-70 | MAXIM | Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 70ns, CMOS, PDFP34, |
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| DS1345YP-100 | DALLAS | 1024k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor |
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| DS1345YP-100+ | MAXIM | Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 100ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, POWERCAP MODULE-34 |
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