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DS1345YP-100

更新时间： 2024-02-05 17:04:32
品牌 Logo 应用领域
达拉斯 - DALLAS 电池内存集成电路静态存储器监控
页数 文件大小 规格书
12页 212K
描述
1024k Nonvolatile SRAM with Battery Monitor

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DS1345YP-100 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DMA包装说明：POWERCAP MODULE-34
针数：34Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.56最长访问时间：100 ns
其他特性：10 YEAR DATA RETENTIONJESD-30 代码：R-XDMA-U34
JESD-609代码：e0内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：NON-VOLATILE SRAM MODULE内存宽度：8
功能数量：1端子数量：34
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128KX8
封装主体材料：UNSPECIFIED封装等效代码：MODULE,34LEAD,1.0
封装形状：RECTANGULAR封装形式：MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V认证状态：Not Qualified
最大待机电流：0.00015 A子类别：SRAMs
最大压摆率：0.085 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：MOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：J INVERTED端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

DS1345YP-100 数据手册

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DS1345Y/AB  
1024k Nonvolatile SRAM  
with Battery Monitor  
www.dalsemi.com  
FEATURES  
PIN ASSIGNMENT  
ꢀ 10 years minimum data retention in the  
absence of external power  
NC  
NC  
A14  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
BW  
A15  
A16  
ꢀ
Data is automatically protected during power loss  
A13  
A12  
A11  
A10  
A9  
ꢀ Power supply monitor resets processor when  
VCC power loss occurs and holds processor in  
reset during VCC ramp-up  
ꢀ Battery monitor checks remaining capacity  
daily  
ꢀ Read and write access times as fast as 70 ns  
ꢀ Unlimited write cycle endurance  
ꢀ Typical standby current 50 µA  
ꢀ Upgrade for 128k x 8 SRAM, EEPROM or  
Flash  
RST  
VCC  
WE  
OE  
CE  
A8  
DQ7  
DQ6  
DQ5  
DQ4  
DQ3  
A7  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
A1  
A0  
GND VBAT  
DQ2  
DQ1  
DQ0  
GND  
34-Pin POWERCAP MODULE (PCM)  
(USES DS9034PC POWERCAP)  
ꢀ Lithium battery is electrically disconnected to  
retain freshness until power is applied for the  
first time  
ꢀ Full ±10% VCC operating range (DS1345Y)  
or optional ±5% VCC operating range  
(DS1345AB)  
ꢀ Optional industrial temperature range of  
-40°C to +85°C, designated IND  
ꢀ New PowerCap Module (PCM) package  
PIN DESCRIPTION  
A0 - A16  
DQ0 - DQ7  
CE  
- Address Inputs  
- Data In/Data Out  
- Chip Enable  
WE  
- Write Enable  
- Output Enable  
- Reset Output  
OE  
RST  
-
-
Directly surface-mountable module  
Replaceable snap-on PowerCap provides  
lithium backup battery  
Standardized pinout for all nonvolatile  
SRAM products  
BW  
VCC  
GND  
NC  
- Battery Warning Output  
- Power (+5V)  
- Ground  
-
-
- No Connect  
Detachment feature on PowerCap allows  
easy removal using a regular screwdriver  
DESCRIPTION  
The DS1345 1024k Nonvolatile SRAMs are 1,048,576-bit, fully static, nonvolatile SRAMs organized as  
131,072 words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry  
which constantly monitors VCC for an out-of-tolerance condition. When such a condition occurs, the  
lithium energy source is automatically switched on and write protection is unconditionally enabled to  
prevent data corruption. Additionally, the DS1345 devices have dedicated circuitry for monitoring the  
status of VCC and the status of the internal lithium battery. DS1345 devices in the PowerCap Module  
package are directly surface mountable and are normally paired with a DS9034PC PowerCap to form a  
complete Nonvolatile SRAM module. The devices can be used in place of 128k x 8 SRAM, EEPROM or  
Flash components.  
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与DS1345YP-100相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
DS1345YP-100+ MAXIM Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 100ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, POWERCAP MODULE-34

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