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DRC5114E0L

更新时间： 2024-02-23 17:38:07
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
4页 347K
描述
Silicon NPN epitaxial planar type

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DRC5114E0L 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2-B, SC-85, 3 PINReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：3.91Samacsys Description：DRC5114E0L, Digital Transistor, NPN 100 MA 50 V 10 kΩ, Ratio Of 1, 3-Pin SMini3 F2 B
其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：35JESD-30 代码：R-PDSO-F3
JESD-609代码：e6湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN表面贴装：YES
端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

DRC5114E0L 数据手册

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DRC5114E  
Silicon NPN epitaxial planar type  
For digital circuits  
Unit: mm  
Complementary to DRA5114E  
DRC2114E in SMini3 type package  
Features  
Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)  
Halogen-free / RoHS compliant  
(EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL: Level 1 compliant)  
ꢀMarking Symbol: NB  
Packaging  
DRC5114E0L Embossed type (Thermo-compression sealing): 3000 pcs / reel (standard)  
1: Base  
ꢀAbsolute Maximum Ratings T = 25°C  
a
2: Emitter  
3: Collector  
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
IC  
Rating  
50  
Unit  
V
Panasonic  
SMini3-F2-B  
JEITA  
Code  
SC-85  
50  
V
100  
mA  
mW  
°C  
C
E
Total power dissipation  
PT  
150  
R1  
R2  
B
Junction temperature  
Tj  
150  
Storage temperature  
T
stg  
–55 to +150  
°C  
R1  
R2  
10  
10  
kΩ  
kΩ  
Resistance value  
ꢀElectrical Characteristics T = 25°C±3°C  
a
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
50  
Typ  
Max  
Unit  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Collector-emitter cutoff current (Base open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
Collector-emitter saturation voltage  
Input voltage (ON)  
VCBO IC = 10 µA, IE = 0  
VCEO IC = 2 mA, IB = 0  
V
V
50  
ICBO  
ICEO  
IEBO  
hFE  
VCB = 50 V, IE = 0  
VCE = 50 V, IB = 0  
VEB = 6 V, IC = 0  
0.1  
0.5  
0.5  
µA  
µA  
mA  
V
VCE = 10 V, IC = 5 mA  
35  
VCE(sat) IC = 10 mA, IB = 0.5 mA  
VI(on) VCE = 0.2 V, IC = 5 mA  
0.25  
2.1  
V
Input voltage (OFF)  
VI(off) VCE = 5 V, IC = 100 µA  
0.8  
+30%  
1.2  
V
Input resistance  
R1  
–30%  
0.8  
10  
kΩ  
Resistance ratio  
R1 / R2  
1.0  
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
Publication date: December 2012  
Ver. DED  
1
1234

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与DRC5114E0L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DRC5115E PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS
DRC5115E0L PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN
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