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DRC5115E0L PDF预览

DRC5115E0L

更新时间： 2024-09-26 14:41:47
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC PC开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 476K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2-B, SC-85, 3 PIN

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DRC5115E0L 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：3.75
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：171587Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：Integrated CircuitSamacsys Package Category：SO Transistor Flat Lead
Samacsys Footprint Name：SMini3-F2-BSamacsys Released Date：2015-07-01 00:00:00
Is Samacsys：N其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：80
JESD-30 代码：R-PDSO-F3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

DRC5115E0L 数据手册

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Doc No. TT4-EA-11597  
Revision. 2  
Transistors with Built-in Resistor  
DRC5115E0L  
DRC5115E0L  
Silicon NPN epitaxial planar type  
Unit: mm  
For digital circuits  
Complementary to DRA5115E  
DRC2115E in SMini3 type package  
2.0  
0.3  
0.13  
3
Features  
Low collector-emitter saturation voltage Vce(sat)  
Halogen-free / RoHS compliant  
(EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 1 compliant)  
1
2
0.9  
Marking Symbol:  
Packaging  
NN  
(0.65)(0.65)  
1.3  
Embossed type (Thermo-compression sealing) : 3 000 pcs / reel (standard)  
1. Base  
2. Emitter  
3. Collector  
Panasonic  
JEITA  
SMini3-F2-B  
SC-85  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25 C  
Code  
―
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector current  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
IC  
PT  
Tj  
Topr  
Tstg  
Rating  
50  
50  
100  
150  
Unit  
V
V
mA  
mW  
°C  
Internal Connection  
C
R1  
B
150  
-40 to +85  
-55 to +150  
R2  
Operating ambient temperature  
Storage temperature  
°C  
°C  
E
k  
k  
Resistance R1 100  
R2 100  
value  
Electrical Characteristics Ta = 25 C 3 C  
Parameter  
Symbol  
VCBO IC = 10 μA, IE = 0  
VCEO IC = 2 mA, IB = 0  
Conditions  
Min Typ Max  
50  
50  
Unit  
V
V
μA  
μA  
mA  
-
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Collector-emitter cutoff current (Base open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
ICBO  
ICEO  
IEBO  
hFE  
VCB = 50 V, IE = 0  
VCE = 50 V, IB = 0  
VEB = 6 V, IC = 0  
0.1  
0.5  
0.1  
VCE = 10 V, IC = 5 mA  
80  
Collector-emitter saturation voltage  
VCE(sat) IC = 10 mA, IB = 0.5 mA  
Vi(on) VCE = 0.2 V, IC = 5 mA  
Vi(off) VCE = 5 V, IC = 100 μA  
R1  
0.25  
V
V
V
k  
-
5.7  
Input voltage  
0.8  
Input resistance  
Resistance ratio  
-30% 100 30%  
R1/R2  
0.8  
1.0  
1.2  
Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 Measuring methods for transistors.  
Note)1.  
Page 1 of 3  
Established : 2009-10-15  
Revised : 2014-03-20  
1234

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