Datasheet > DRC4144E

DRC4144E

更新时间： 2024-11-27 21:11:19

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	198K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, NS-B1-B, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

DRC4144E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.75
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	最小直流电流增益 (hFE)：	80
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

DRC4144E 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

DRC4144E (Tentative)

Silicon NPN epitaxial planar type

For digital circuits

 Packaging

ꢀPackage

Radial type : 5000 pcs / carton

ꢀCode

NS-B1-B

ꢀPin Name

1: Emitter

2: Collector

3: Base

ꢀAbsolute Maximum Ratings T = 25°C

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

I_C

Rating

Unit

ꢀMarking Symbol: NL

ꢀInternal Connection

100

°C

Total power dissipation

P_T

300

Junction temperature

T_j

150

R₁

Storage temperature

stg

–55 to +150

°C

R₂

Resistance

value

R₁

R₂

kΩ

ꢀElectrical Characteristics T = 25°C±3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

Collector-emitter saturation voltage

Input voltage (ON)

V_CBOI_C= 10 µA, I_E= 0

V_CEOI_C= 2 mA, I_B= 0

I_CBO

I_CEO

I_EBO

h_FE

V_CB= 50 V, I_E= 0

V_CE= 50 V, I_B= 0

V_EB= 6 V, I_C= 0

0.1

0.5

0.1

µA



V_CE= 10 V, I_C= 5 mA

V_CE(sat)I_C= 10 mA, I_B= 0.5 mA

V_I(on)V_CE= 0.2 V, I_C= 5 mA

0.25

3.6

Input voltage (OFF)

V_I(off)V_CE= 5 V, I_C= 100 µA

0.8

+30%

1.2

Input resistance

R₁

–30%

0.8

kΩ



Resistance ratio

R₁/ R₂

1.0

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Publication date: November 2009

ZJH00486AED

12 3

中文翻译

下载PDF

与DRC4144E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DRC4144T	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, NS-B1
DRC4144T0A	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN
DRC4144V	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, NS-B1-B
DRC4144W	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, NS-B1
DRC4144W0A	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN
DRC4152Z	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, NS-B1-B
DRC4152Z0A	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN
DRC4514E	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, NS-B1-B
DRC4523E	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, NS-B1-B
DRC4523Y	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, NS-B1-B

与DRC4144E相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

46
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

35
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

64
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

61

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

DRC4144E

DRC4144E 技术参数

DRC4144E 数据手册

与DRC4144E相关器件

与DRC4144E相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

DRC4144E

DRC4144E 技术参数

DRC4144E 数据手册

与DRC4144E相关器件

与DRC4144E相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？