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DRA03T

更新时间: 2024-10-29 22:29:51
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三洋 - SANYO /
页数 文件大小 规格书
3页 104K
描述
0.3A Reverse Blocking Thyristor

DRA03T 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.92配置:SINGLE
最大直流栅极触发电流:0.2 mA最大直流栅极触发电压:0.8 V
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
JESD-609代码:e0通态非重复峰值电流:9 A
元件数量:1端子数量:3
最大通态电流:300 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:0.471 A重复峰值反向电压:400 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

DRA03T 数据手册

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