DR200

更新时间： 2024-01-10 15:23:30

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SYNSEMI		整流二极管
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2页	27K
描述
SILICON RECTIFIER DIODES

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DR200 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	DO-15, 2 PIN
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
其他特性：	HIGH RELIABILITY	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.1 V	JEDEC-95代码：	DO-204AC
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	最大非重复峰值正向电流：	50 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	最大重复峰值反向电压：	50 V
最大反向电流：	5 µA	反向测试电压：	50 V
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL

DR200 数据手册

SILICON RECTIFIER DIODES

DR200 - DR210

PRV : 50 - 1000 Volts

Io : 2.0 Amperes

FEATURES :

1.00 (25.4)

* High current capability

* High surge current capability

* High reliability

0.161 (4.10)

MIN.

0.154 (3.90)

* Low reverse current

* Low forward voltage drop

* Pb / RoHS Free

0.284 (7.20)

0.268 (6.84)

1.00 (25.4)

0.034 (0.86)

0.028 (0.71)

MIN.

MECHANICAL DATA :

* Case : D2 Molded plastic

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,

Method 208 guaranteed

Dimensions in inches and ( millimeters )

* Polarity : Color band denotes cathode end

* Mounting position : Any

* Weight : 0.465 gram

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

DR200 DR201 DR202 DR204 DR206 DR208 DR210

RATING

SYMBOL

UNIT

Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

VRRM

VRMS

VDC

100

200

140

200

400

280

400

600

420

600

800 1000

560 700

800 1000

Maximum DC Blocking Voltage

100

Maximum Average Forward Current

0.375"(9.5mm) Lead Length Ta = 50 °C

Peak Forward Surge Current

2.0

IFSM

8.3ms Single half sine wave Superimposed

on rated load (JEDEC Method)

Maximum Forward Voltage at IF = 2.0 Amps.

1.0

5.0

Maximum DC Reverse Current

at rated DC Blocking Voltage

Typical Junction Capacitance (Note1)

Typical Thermal Resistance (Note2)

Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

Ta = 25 °C

IR(H)

Ta = 100 °C

°C/W

°C

RqJA

- 65 to + 175

TSTG

°C

Notes :

(1) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V_DC

(2) Thermal resistance from Junction to Ambient at 0.375" (9.5mm) Lead Lengths, P.C. Board Mounted.

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Rev. 02 : March 25, 2005

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