是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | QMA | 包装说明: | QFP, QFP48,.7X1.1,50 |
针数: | 48 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A001.A.2.C | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.56 | 最长访问时间: | 150 ns |
数据轮询: | NO | JESD-30 代码: | R-XQMA-G48 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 67108864 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 部门数/规模: | 64 |
端子数量: | 48 | 字数: | 4194304 words |
字数代码: | 4000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 4MX16 | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | QFP | 封装等效代码: | QFP48,.7X1.1,50 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
页面大小: | 64 words | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | MIL-STD-883 Class B (Modified) |
部门规模: | 64K | 最大待机电流: | 0.0008 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.1 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
切换位: | NO | 类型: | NOR TYPE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DP5Z4MW16PH3-15I | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module | |
DP5Z4MW16PH3-15M | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module | |
DP5Z4MW16PH3-20B | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module | |
DP5Z4MW16PH3-20C | ETC |
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DP5Z4MW16PH3-20I | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module | |
DP5Z4MW16PH3-20M | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module | |
DP5Z4MW16PI3-12B | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module | |
DP5Z4MW16PI3-12C | ETC |
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DP5Z4MW16PI3-12I | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module | |
DP5Z4MW16PI3-12M | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module |