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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | QMA | 包装说明： | QFP, QFP48,.7X1.1,50 |
| 针数： | 48 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | 3A001.A.2.C | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.56 | 最长访问时间： | 150 ns |
| 数据轮询： | NO | JESD-30 代码： | R-XQMA-G48 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 67108864 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 部门数/规模： | 64 |
| 端子数量： | 48 | 字数： | 4194304 words |
| 字数代码： | 4000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 4MX16 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | QFP | 封装等效代码： | QFP48,.7X1.1,50 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 页面大小： | 64 words | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 编程电压： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | MIL-STD-883 Class B (Modified) |
| 部门规模： | 64K | 最大待机电流： | 0.0008 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.1 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 切换位： | NO | 类型： | NOR TYPE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DP5Z4MW16PH3-15C | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module |
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| DP5Z4MW16PH3-15I | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module |
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| DP5Z4MW16PH3-15M | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module |
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| DP5Z4MW16PH3-20B | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module |
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| DP5Z4MW16PH3-20C | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module |
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| DP5Z4MW16PH3-20I | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module |
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| DP5Z4MW16PH3-20M | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module |
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| DP5Z4MW16PI3-12B | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module |
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| DP5Z4MW16PI3-12C | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module |
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| DP5Z4MW16PI3-12I | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module |
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