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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Contact Manufacturer | 零件包装代码： | LCC |
| 包装说明： | AQCCJ, LDCC48,.51X.88 | 针数： | 48 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.56 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 150 ns |
| 其他特性： | HARDWARE DATA PROTECTION | 数据轮询： | NO |
| JESD-30 代码： | R-XQMA-J48 | 内存密度： | 33554432 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH MODULE | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 部门数/规模： | 32 |
| 端子数量： | 48 | 字数： | 2097152 words |
| 字数代码： | 2000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 2MX16 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | AQCCJ | 封装等效代码： | LDCC48,.51X.88 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER, PIGGYBACK |
| 页面大小： | 64 words | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 编程电压： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | MIL-STD-883 Class B (Modified) | 座面最大高度： | 5.842 mm |
| 部门规模： | 64K | 最大待机电流： | 0.0004 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.1 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 切换位： | NO | 类型： | NOR TYPE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DP5Z2MW16PY3-12B | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module |
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| DP5Z2MW16PY3-12C | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module |
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| DP5Z2MW16PY3-12I | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module |
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| DP5Z2MW16PY3-12M | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module |
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| DP5Z2MW16PY3-15B | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module |
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| DP5Z2MW16PY3-15C | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module |
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| DP5Z2MW16PY3-15I | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module |
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| DP5Z2MW16PY3-15M | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module |
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| DP5Z2MW16PY3-20B | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module |
|
| DP5Z2MW16PY3-20C | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module |
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