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DP5Z2MW16PY3-12C

更新时间： 2024-01-02 06:28:40

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21页	1074K
描述
x16 Flash EEPROM Module

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DP5Z2MW16PY3-12C 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	LCC
包装说明：	AQCCN, LCC48,.5X.87	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.44
最长访问时间：	120 ns	其他特性：	HARDWARE DATA PROTECTION
数据轮询：	NO	JESD-30 代码：	R-CQCC-N48
长度：	22.098 mm	内存密度：	33554432 bit
内存集成电路类型：	FLASH MODULE	内存宽度：	16
功能数量：	1	部门数/规模：	32
端子数量：	48	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	2MX16	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	AQCCN	封装等效代码：	LCC48,.5X.87
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER, PIGGYBACK
页面大小：	64 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	MIL-STD-883 Class B (Modified)	座面最大高度：	4.3434 mm
部门规模：	64K	最大待机电流：	0.0004 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	NO	类型：	NOR TYPE
宽度：	12.7 mm	Base Number Matches：	1

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