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DMTH6004LPSQ

更新时间： 2023-12-06 20:10:46

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9页	859K
描述
60V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DMTH6004LPSQ 数据手册

DMTH6004LPSQ

D=0.5

D=0.3

D=0.9

D=0.7

0.1

D=0.1

D=0.05

D=0.02

0.01

0.001

D=0.01

D=0.005

R_θJC(t)=r(t) * R_θJC

R_θJC=0.9℃/W

Duty Cycle, D=t1/t2

D=Single Pulse

1E-06

1E-05

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

1000

t1, PULSE DURATION TIME (sec)

Figure 13. Transient Thermal Resistance

6 of 9

www.diodes.com

January 2022

DMTH6004LPSQ

Document number: DS38165 Rev. 3 - 2

1...3 4 567 8 9

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DMTH6004LPSQ-13	DIODES	Power Field-Effect Transistor,	获取价格
DMTH6004SCT	DIODES	Power Field-Effect Transistor,	获取价格
DMTH6004SCTB	DIODES	60V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	获取价格
DMTH6004SCTBQ	DIODES	60V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	获取价格
DMTH6004SCTBQ-13	DIODES	Power Field-Effect Transistor,	获取价格
DMTH6004SK3	DIODES	60V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	获取价格