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DMTH6004LPSQ

更新时间： 2023-12-06 20:10:46

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9页	859K
描述
60V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DMTH6004LPSQ 数据手册

DMTH6004LPSQ

0.008

0.007

0.006

0.005

0.004

0.003

0.002

0.001

2.5

I_D=1mA

1.5

V_GS=4.5V, I_D=20A

I_D=250μA

V_GS=10V, I_D=25A

0.5

-50 -25

25 50 75 100 125 150 175

-50 -25

25 50 75 100 125 150 175

T_J, JUNCTION TEMPERATURE (℃)

Figure 8. Gate Threshold Variation vs. Temperature

Figure 7. On-Resistance Variation with Temperature

100000

10000

1000

100

f=1MHz

V_GS=0V, T_A=125℃

V_GS=0V, T_A=150℃

V_GS=0V, T_A=175℃

C_iss

C_oss

V_GS=0V, T_A=85℃

V_GS=0V, T_A=25℃

V_GS=0V, T_A=-55℃

C_rss

0.3

0.6

0.9

1.2

1.5

V_DS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)

Figure 10. Typical Junction Capacitance

V_SD, SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)

Figure 9. Diode Forward Voltage vs. Current

1000

100

R_DS(ON)Limited

P_W=1µs

P_W=100ms

P_W=10ms

P_W=1ms

P_W=100µs

T_J(Max)=175℃

T_C=25℃

Single Pulse

V_DS=30V, I_D=25A

P_W=10µs

DUT on Infinite Heatsink

V_GS=10V

0.1

100

Q_g(nC)

V_DS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)

Figure 11. Gate Charge

Figure 12. SOA, Safe Operation Area

5 of 9

www.diodes.com

January 2022

DMTH6004LPSQ

Document number: DS38165 Rev. 3 - 2

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