是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
Factory Lead Time: | 19 weeks | 风险等级: | 2.32 |
JESD-609代码: | e3 | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DMTH6004SCTB | DIODES |
获取价格 |
60V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMTH6004SCTBQ | DIODES |
获取价格 |
60V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMTH6004SCTBQ-13 | DIODES |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
DMTH6004SK3 | DIODES |
获取价格 |
60V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMTH6004SK3Q | DIODES |
获取价格 |
60V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMTH6004SPS | DIODES |
获取价格 |
60V +175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMTH6004SPSQ | DIODES |
获取价格 |
60V +175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMTH6005LCT | DIODES |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
DMTH6005LFG | DIODES |
获取价格 |
60V +175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMTH6005LFGQ | DIODES |
获取价格 |
60V +175°C N-Channel Enhancement Mode MOSFET |