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DMT6009LK3

更新时间: 2023-12-06 20:11:32
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美台 - DIODES /
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6页 548K
描述
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DMT6009LK3 数据手册

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DMT6009LK3  
1
D=0.5  
D=0.3  
D=0.9  
D=0.7  
0.1  
D=0.1  
D=0.05  
D=0.02  
0.01  
D=0.01  
D=0.005  
RθJC(t)=r(t) * RθJC  
RθJC=2.5/W  
Duty Cycle, D=t1 / t2  
D=Single Pulse  
0.001  
1E-06  
1E-05  
0.0001  
t1, PULSE DURATION TIME (sec)  
Figure 13. Transient Thermal Resistance  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
Package Outline Dimensions  
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for the latest version.  
E
A
b3  
7°± 1°  
c
L3  
TO252 (DPAK)  
Dim Min Max Typ  
A
2.19 2.39 2.29  
D
A1 0.00 0.13 0.08  
A2 0.97 1.17 1.07  
A2  
H
L4  
b
0.64 0.88 0.783  
b2 0.76 1.14 0.95  
b3 5.21 5.46 5.33  
c
D
0.45 0.58 0.531  
6.00 6.20 6.10  
e
D1 5.21  
-
-
-
b( 3x)  
e
-
2.286  
b2( 2x)  
E
6.45 6.70 6.58  
0.508  
E1 4.32  
-
-
Gauge Plane  
H
L
9.40 10.41 9.91  
1.40 1.78 1.59  
D1  
Seating Plane  
E1  
L3 0.88 1.27 1.08  
L4 0.64 1.02 0.83  
a
L
A1  
0°  
10°  
-
2.74REF  
All Dimensions in mm  
5 of 6  
www.diodes.com  
December 2015  
© Diodes Incorporated  
DMT6009LK3  
Document number: DS38207 Rev. 3 - 2  

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