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DMT6009LK3

更新时间： 2023-12-06 20:11:32

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60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DMT6009LK3 数据手册

DMT6009LK3

1.6

1.2

0.8

0.4

0.02

0.016

0.012

0.008

0.004

I_D=1mA

V_GS=4.5V, I_D=11.5A

I_D=250μA

V_GS=10V, I_D=13.5A

-50 -25

75 100 125 150

-50 -25

75 100 125 150

T_J, JUNCTION TEMPERATURE (℃)

Figure 7. On-Resistance Variation with Junction

Temperature

Figure 8. Gate Threshold Variation vs. Junction

Temperature

10000

1000

100

f=1MHz

C_iss

V_GS=0V, T_J=125℃

V_GS=0V, T_J=150℃

C_oss

V_GS=0V, T_J=85℃

V_GS=0V, T_J=25℃

C_rss

V_GS=0V, T_J=-55℃

0.3

0.6

0.9

1.2

1.5

V_DS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)

Figure 10. Typical Junction Capacitance

V_SD, SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)

Figure 9. Diode Forward Voltage vs. Current

1000

100

R_DS(ON)Limited

P_W=100µs

P_W=1ms

P_W=10ms

P_W=100ms

P_W=1s

P_W=10s

V_DS=30V, I_D=13.5A

T_J(Max)= 150℃

T_A= 25℃

Single Pulse

DUT on 1*MRP Board

V_GS= 10V

0.1

0.01

0.1

100

V_DS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)

Figure 12. SOA, Safe Operation Area

Q_g(nC)

Figure 11. Gate Charge

4 of 6

www.diodes.com

December 2015

DMT6009LK3

Document number: DS38207 Rev. 3 - 2

1 2 345 6

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