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DMS3016SSS-13

更新时间： 2024-01-06 10:05:35
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 肖特基二极管
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6页 160K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE

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DMS3016SSS-13 数据手册

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DMS3016SSS  
Electrical Characteristics @ TA = 25°C unless otherwise stated  
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS (Note 6)  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate-Source Leakage  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Condition  
30  
-
-
-
-
-
V
BVDSS  
IDSS  
VGS = 0V, ID = 250μA  
VDS = 30V, VGS = 0V  
VGS = ±12V, VDS = 0V  
0.1  
mA  
nA  
-
±100  
IGSS  
ON CHARACTERISTICS (Note 6)  
Gate Threshold Voltage  
1.0  
-
9
2.3  
13  
16  
-
V
VGS(th)  
VDS = VGS, ID = 250μA  
-
-
-
-
-
VGS = 10V, ID = 9.8A  
mΩ  
Static Drain-Source On-Resistance  
RDS (ON)  
11  
5
V
GS = 4.5V, ID = 9.8A  
Forward Transfer Admittance  
Diode Forward Voltage  
S
V
A
|Yfs|  
VSD  
IS  
VDS = 5V, ID = 9.8A  
0.4  
-
1
VGS = 0V, IS = 1A  
-
Maximum Body-Diode + Schottky Continuous Current  
DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note 7)  
Input Capacitance  
5
-
1849  
158  
123  
2.68  
18.5  
43  
-
pF  
pF  
pF  
Ω
Ciss  
Coss  
Crss  
Rg  
V
DS =15V, VGS = 0V,  
Output Capacitance  
-
-
f = 1.0MHz  
Reverse Transfer Capacitance  
Gate Resistance  
-
-
0.53  
4.82  
VDS =0V, VGS = 0V, f = 1MHz  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
nC  
nC  
nC  
nC  
ns  
ns  
ns  
ns  
Total Gate Charge VGS = 4.5V  
Total Gate Charge VGS = 10V  
Gate-Source Charge  
Qg  
Qg  
V
DS = 15V, VGS = 10V,  
4.7  
ID = 9.8A  
Qgs  
Qgd  
tD(on)  
tr  
Gate-Drain Charge  
4.0  
Turn-On Delay Time  
6.62  
8.73  
36.41  
4.69  
Turn-On Rise Time  
V
GS = 10V, VDS = 10V,  
Turn-Off Delay Time  
RG = 3Ω, RL = 1.2Ω  
tD(off)  
tf  
Turn-Off Fall Time  
Notes:  
6. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.  
7. Guaranteed by design. Not subject to production testing.  
30  
25  
30  
V
= 4.5V  
GS  
V
= 4.0V  
V
= 5V  
25  
20  
15  
10  
5
GS  
DS  
V
= 3.5V  
GS  
20  
15  
10  
5
V
= 3.0V  
GS  
V
= 2.5V  
GS  
V
= 150°C  
GS  
V
= 125°C  
= 85°C  
GS  
V
GS  
V
V
= 25°C  
GS  
V
= 2.2V  
V
= 2.0V  
GS  
GS  
= -55°C  
GS  
0
0
0
0
0.5  
1
1.5  
2
0.5  
1
1.5  
2
2.5  
3
VDS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)  
Fig. 1 Typical Output Characteristic  
VGS, GATE-SOURCE VOLTAGE (V)  
Fig. 2 Typical Transfer Characteristic  
2 of 6  
www.diodes.com  
September 2010  
© Diodes Incorporated  
DMS3016SSS  
Document number: DS32266 Rev. 3 - 2  
123456

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