是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DFN |
包装说明: | GREEN, PLASTIC, X1-DFN1006-3, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 1.53 | 其他特性: | HIGH RELIABILITY |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 50 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 0.31 A |
最大漏极电流 (ID): | 0.18 A | 最大漏源导通电阻: | 8 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PBCC-N3 |
JESD-609代码: | e4 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | CHIP CARRIER | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 1.22 W |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
DMP58D0LFB-7 | DIODES |
功能相似 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DMP58D0SV | DIODES |
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DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR | |
DMP58D0SV-7 | DIODES |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.16A I(D), 50V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta | |
DMP58D1LV | DIODES |
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Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET | |
DMP58D1LVQ | DIODES |
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Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET | |
DMP6018LPS | DIODES |
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60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMP6018LPSQ | DIODES |
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60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMP6023LE | DIODES |
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60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMP6023LE_15 | DIODES |
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60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMP6023LE-13 | DIODES |
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60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMP6023LEQ | DIODES |
获取价格 |
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |