是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
Factory Lead Time: | 23 weeks | 风险等级: | 1.63 |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 3.8 A |
最大漏极电流 (ID): | 3.8 A | 最大漏源导通电阻: | 0.065 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 1.08 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 11 A |
参考标准: | AEC-Q101 | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DMP3099L-7 | DIODES |
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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMP3099LQ | DIODES |
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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMP3100L | DIODES |
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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMP3100L-7 | DIODES |
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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMP3100L-7-F | TYSEMI |
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Product specification | |
DMP3105LVT | DIODES |
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30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMP3105LVT_15 | DIODES |
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30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMP3105LVT-7 | DIODES |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal | |
DMP3120L | DIODES |
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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMP3120L | TYSEMI |
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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Low Gate Threshold Voltage |