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DMP2240UDM-7

更新时间： 2024-01-20 01:16:00

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美台 - DIODES		晶体晶体管场效应晶体管
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DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

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DMP2240UDM-7 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	16 weeks
风险等级：	1.63	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2 A	最大漏极电流 (ID)：	2 A
最大漏源导通电阻：	0.15 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.6 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

DMP2240UDM-7 数据手册

DMP2240UDM

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Features

Mechanical Data

•

Dual P-Channel MOSFET

Low On-Resistance

•

Case: SOT-26

Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound.

UL Flammability Classification Rating 94V-0

Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020

Terminals Connections: See Diagram

Terminals: Finish ⎯ Matte Tin annealed over Copper leadframe.

Solderable per MIL-STD-202, Method 208

Marking Information: See Page 4

Ordering Information: See Page 4

Weight: 0.015 grams (approximate)

•

150 mΩ @ V_GS= -4.5V

200 mΩ @ V_GS= -2.5V

240 mΩ @ V_GS= -1.8V

•

Very Low Gate Threshold Voltage V_GS(th)≤ 1V

Low Input Capacitance

Fast Switching Speed

Low Input/Output Leakage

Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2)

"Green" Device (Note 3)

•

Qualified to AEC-Q101 standards for High Reliability

SOT-26

S₁

D₁

D₂

G₁

G₂

S₂

TOP VIEW

Internal Schematic

TOP VIEW

Maximum Ratings @T = 25°C unless otherwise specified

Characteristic

Drain-Source Voltage

Symbol

V_DSS

Value

-20

Units

Gate-Source Voltage

±12

V_GSS

T_A= 25°C

-2.0

-1.5

Drain Current (Note 1)

I_D

T_A= 70°C

Pulsed Drain Current

-7

I_DM

Thermal Characteristics

Characteristic

Total Power Dissipation (Note 1)

Symbol

Value

600

Units

°C/W

°C

P_D

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Operating and Storage Temperature Range

208

R_θ

-65 to +150

T_J,T_STG

Notes:

1. Device mounted on FR-4 PCB.

2. No purposefully added lead.

3. Diodes Inc.’s “Green” policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.

1 of 5

www.diodes.com

April 2010

DMP2240UDM

Document number: DS31197 Rev. 5 - 2

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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DMP2240UW-7	DIODES	获取价格	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
DMP2240UWQ	DIODES	获取价格	20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMP2240UWQ-7	DIODES	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
DMP22D4UDA	DIODES	获取价格	20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMP22D4UFA	DIODES	获取价格	ESD Protected Gate
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