是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 15 weeks |
风险等级: | 0.85 | 其他特性: | HIGH RELIABILITY |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 20 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 4.2 A | 最大漏极电流 (ID): | 4.2 A |
最大漏源导通电阻: | 0.06 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 1.4 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 10 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
DMP2305UQ-7 | TYSEMI | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Low Input Capacitance |
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DMP2305UVT | DIODES | 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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DMP2305UVT_15 | DIODES | 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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DMP2305UVT-13 | DIODES | Power Field-Effect Transistor, 3.49A I(D), 20V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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DMP2305UVT-7 | DIODES | Power Field-Effect Transistor, 3.49A I(D), 20V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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DMP2540UCB9-7 | DIODES | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 25V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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