是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Not Recommended | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
Factory Lead Time: | 15 weeks | 风险等级: | 5.29 |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 4.6 A |
最大漏极电流 (ID): | 4.6 A | 最大漏源导通电阻: | 0.04 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 6 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 1.25 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 18 A | 参考标准: | AEC-Q101 |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
DMP2066LSD | DIODES | DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
获取价格 |
|
DMP2066LSD-13 | DIODES | DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
获取价格 |
|
DMP2066LSN | DIODES | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
获取价格 |
|
DMP2066LSN | TYSEMI | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Low Input/Output Leakage |
获取价格 |
|
DMP2066LSN-7 | DIODES | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
获取价格 |
|
DMP2066LSS | DIODES | SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
获取价格 |