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DMN3020UFDFQ

更新时间： 2023-12-06 20:11:31

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30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DMN3020UFDFQ 数据手册

DMN3020UFDFQ

100

P_W=100µs

R_DS(ON)Limited

P_W=1ms

P_W=10ms

P_W=100ms

T_J(Max)= 150℃

T_A= 25℃

0.1

P_W=1s

P_W=10s

Single Pulse

DUT on 1*MRP Board

V_GS= 4.5V

0.01

0.1

100

V_DS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)

Figure 13. SOA, Safe Operation Area

D=0.7

D=0.5

D=0.3

D=0.9

0.1

D=0.1

D=0.05

D=0.02

D=0.01

D=0.005

0.01

R_θJA(t) = r(t) * R_θJA

R_θJA= 171℃/W

Duty Cycle, D = t1 / t2

D=Single Pulse

0.001

0.0001

0.01

0.1

100

1000

t1, PULSE DURATION TIME (sec)

Figure 14. Transient Thermal Resistance

6 of 8

www.diodes.com

August 2021

DMN3020UFDFQ

Datasheet number: DS43476 Rev. 2 - 2

1...3 4 567 8

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