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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 16 weeks | 风险等级： | 1.58 |
| 其他特性： | ESD PROTECTION, HIGH RELIABILITY | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5.6 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5.6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.02 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.9 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Powers |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DMN2028UVT | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| DMN2028UVT-13 | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| DMN2028UVT-7 | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| DMN2029USD | DIODES |
获取价格 |
Low Input Capacitance |
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| DMN2029USD_15 | DIODES |
获取价格 |
20V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| DMN2029USD-13 | DIODES |
获取价格 |
Low Input Capacitance |
|
| DMN2029UVT | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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| DMN2030UCA4 | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| DMN2036UCB4 | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD MOSFET |
|
| DMN2040LSD | DIODES |
获取价格 |
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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