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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> DMN2040LSD-13
DMN2040LSD-13 PDF预览

DMN2040LSD-13

更新时间： 2024-09-28 12:50:03
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 158K
描述
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DMN2040LSD-13 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.64Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：7 A
最大漏极电流 (ID)：7 A最大漏源导通电阻：0.026 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

DMN2040LSD-13 数据手册

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DMN2040LSD  
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET  
Please click here to visit our online spice models database.  
Features  
Mechanical Data  
•
•
Dual N-Channel MOSFET  
Low On-Resistance  
•
•
Case: SOP-8L  
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound.  
UL Flammability Classification Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D  
Terminals Connections: See Diagram  
Terminals: Finish - Matte Tin annealed over Copper lead  
frame. Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Marking Information: See Page 4  
Ordering Information: See Page 4  
Weight: 0.072 grams (approximate)  
•
•
26mΩ @ VGS = 4.5V  
36mΩ @ VGS = 2.5V  
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
Low Gate Threshold Voltage  
Low Input Capacitance  
Fast Switching Speed  
Low Input/Output Leakage  
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 2)  
"Green" Device (Note 4)  
Qualified to AEC-Q 101 Standards for High Reliability  
•
•
•
SOP-8L  
D1  
D2  
S1  
G1  
S2  
D1  
D1  
D2  
D2  
G1  
G2  
G2  
S1  
S2  
TOP VIEW  
TOP VIEW  
N-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
Internal Schematic  
Maximum Ratings @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Drain-Source Voltage  
Symbol  
VDSS  
Value  
20  
Units  
V
V
Gate-Source Voltage  
VGSS  
±12  
T
A = 25°C  
Drain Current (Note 1)  
Steady  
State  
7.0  
5.6  
A
A
ID  
TA = 70°C  
Pulsed Drain Current (Note 3)  
30  
IDM  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Total Power Dissipation (Note 1)  
Symbol  
Value  
2
Unit  
W
PD  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Operating and Storage Temperature Range  
62.5  
°C/W  
°C  
Rθ  
JA  
-55 to +150  
TJ, TSTG  
Electrical Characteristics @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS (Note 5)  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate-Source Leakage  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Condition  
20  
⎯
⎯
V
BVDSS  
IDSS  
⎯
⎯
⎯
⎯
1
VGS = 0V, ID = 250μA  
VDS = 20V, VGS = 0V  
μA  
nA  
IGSS  
±100  
VGS = ±12V, VDS = 0V  
ON CHARACTERISTICS (Note 5)  
Gate Threshold Voltage  
0.6  
1.2  
V
VGS(th)  
⎯
19  
26  
VDS = VGS, ID = 250μA  
GS = 4.5V, ID = 6.0A  
V
26  
36  
Static Drain-Source On-Resistance  
RDS (ON)  
⎯
mΩ  
VGS = 2.5V, ID = 5.2A  
VDS = 10V, ID = 6.0A  
VGS = 0V, IS = 1.7A  
Forward Transfer Admittance  
Diode Forward Voltage (Note 5)  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Input Capacitance  
12  
ms  
V
gfs  
⎯
0.5  
⎯
1.2  
VSD  
⎯
562  
75  
pF  
pF  
pF  
Ciss  
Coss  
Crss  
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
V
DS = 10V, VGS = 0V  
Output Capacitance  
f = 1.0MHz  
Reverse Transfer Capacitance  
65  
Notes:  
1. Device mounted on 2 oz. Copper pads on FR-4 PCB.  
2. No purposefully added lead.  
3. Pulse width ≤10μS, Duty Cycle ≤1%.  
4. Diodes Inc.'s "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
5. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.  
1 of 4  
www.diodes.com  
November 2008  
© Diodes Incorporated  
DMN2040LSD  
Document number: DS31517 Rev. 4 - 2  
1234

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