是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 23 weeks |
风险等级: | 5.7 | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 20 V | 最大漏极电流 (ID): | 3.4 A |
最大漏源导通电阻: | 0.072 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DMN2046U-7 | DIODES |
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Small Signal Field-Effect Transistor, | |
DMN2046UVT | DIODES |
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DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMN2050L | DIODES |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMN2050L | TYSEMI |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Very Low Gate Threshold Voltage | |
DMN2050L-7 | DIODES |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMN2050LDICT-ND | MICROCHIP |
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RN-171 802.11 b/g Wireless LAN Module | |
DMN2050LFDB | DIODES |
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Low On-Resistance | |
DMN2050LFDB_15 | DIODES |
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DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMN2050LFDB-13 | DIODES |
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DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMN2050LFDB-7 | DIODES |
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DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |