Datasheet > DMD5010-A

DMD5010-A

更新时间： 2024-11-11 09:54:03

品牌	Logo	应用领域
SEME-LAB		射频
页数	文件大小	规格书
2页	28K
描述
ROHS COMPLIANT METAL GATE RF SILICON FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

DMD5010-A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-MDFM-F5
针数：	5	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.69
外壳连接：	SOURCE	配置：	COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压：	125 V	最大漏极电流 (ID)：	12 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-MDFM-F5	元件数量：	2
端子数量：	5	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

DMD5010-A 数据手册

TetraFET

DMD5010

DMD5010-A

ROHS COMPLIANT

METAL GATE RF SILICON FET

MECHANICAL DATA

GOLD METALLISED

MULTI-PURPOSE SILICON

DMOS RF FET

(typ)

2 pls)

(

2 p

(

)

125W – 50V – 400MHz

PUSH–PULL

(

4 pls)

FEATURES

• SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS

• SIMPLE BIAS CIRCUITS

• ULTRA-LOW THERMAL RESISTANCE

• BeO FREE

PIN 1

PIN 3

PIN 5

SOURCE (COMMON)

PIN 2

PIN 4

DRAIN 1

GATE 2

DRAIN 2

GATE 1

DIM Millimetres Tol.

Inches

0.600

0.425

45°

Tol.

15.24

10.80

45°

9.78

8.38

27.94

1.52R

10.16

21.84

0.10

1.96

1.02

4.45

34.04

1.63R

0.50

0.13

5°

0.020

0.005

5°

• LOW Crss

• HIGH GAIN – 13 dB MINIMUM

0.13

0.15

0.23

0.02

0.13

0.38

0.13

0.385

0.330

1.100

0.060R

0.400

0.860

0.004

0.077

0.040

0.175

1.340

0.064R

0.005

0.006

0.009

0.001

0.005

0.015

0.005

APPLICATIONS

• VHF/UHF COMMUNICATIONS

from 1 MHz to 500 MHz

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

= 25°C unless otherwise stated)

648W (389W -A Version)

case

Power Dissipation

Drain – Source Breakdown Voltage *

Gate – Source Breakdown Voltage*

Drain Current*

125V

±20V

DSS

GSS

12A

D(sat)

Storage Temperature

–65 to 150°C

200°C

stg

Maximum Operating Junction Temperature

* Per Side

Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed

to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.

Semelab encourages customers to verify that datasheets are current before placing orders.

Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

Document Number 7347

E-mail: sales@semelab.co.uk

Website: http://www.semelab.co.uk

Issue 1

中文翻译

下载PDF

与DMD5010-A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DMD5012	SEME-LAB	获取价格	IMPROVED PERFORMANCE GOLD METALLISED SILICON DMOS RF FET 100W - 50V - 500MHz PUSH-PULL
DMD5012	TTELEC	获取价格	OBSOLETE Improved performance gold metallised silicon DMOS RF FET
DMD5012-A	SEME-LAB	获取价格	IMPROVED PERFORMANCE GOLD METALLISED SILICON DMOS RF FET 100W - 50V - 500MHz PUSH-PULL
DMD5012-A	TTELEC	获取价格	OBSOLETE Gold metallised multi-purpose silicon DMOS RF FET
DMD5028	SEME-LAB	获取价格	ROHS COMPLIANT METAL GATE RF SILICON FET
DMD5028	TTELEC	获取价格	OBSOLETE Gold metallised multi-purpose silicon DMOS RF FET
DMD5028-A	SEME-LAB	获取价格	ROHS COMPLIANT METAL GATE RF SILICON FET
DMD5028-A	TTELEC	获取价格	OBSOLETE Gold metallised multi-purpose silicon DMOS RF FET
DMD5029	SEME-LAB	获取价格	ROHS COMPLIANT METAL GATE RF SILICON FET
DMD5029	TTELEC	获取价格	OBSOLETE Gold metallised multi-purpose silicon DMOS RF FET

与DMD5010-A相关文章

国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

23
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

7
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
2024-11-14

8
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

DMD5010-A

DMD5010-A 技术参数

DMD5010-A 数据手册

与DMD5010-A相关器件

与DMD5010-A相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

DMD5010-A

DMD5010-A 技术参数

DMD5010-A 数据手册

与DMD5010-A相关器件

与DMD5010-A相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？