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DM85S07J/A+

更新时间: 2024-10-14 20:26:31
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 437K
描述
IC,SRAM,16X4,S-TTL,DIP,16PIN,CERAMIC

DM85S07J/A+ 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP16,.3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:35 nsJESD-30 代码:R-XDIP-T16
JESD-609代码:e0内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4端子数量:16
字数:16 words字数代码:16
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:16X4
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC
封装代码:DIP封装等效代码:DIP16,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL子类别:SRAMs
最大压摆率:0.1 mA表面贴装:NO
技术:TTL温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

DM85S07J/A+ 数据手册

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